ASML，暴跌9000億 - asiasworldcity.hk

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如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容編譯自 CNBC 。受對華出口限制和美國關稅不確定性影響，ASML 市值在不到一年時間裏蒸發逾 1300 億美元（約9365億人民幣）。據標普 Capital IQ 數據顯示，ASML 被視爲半導體供應鏈中的關鍵一環，其股價去年 7 月創下每股逾 1000 歐元的歷史新高，市值達到 4295 億美元。但截至週二收盤，ASML 市值已跌至略低於 2970 億美元。自去年以來，由於美國加強對華芯片出口限制，以及美國總統唐納德·特朗普上任以來威脅對半導體行業徵收關稅，半導體類股一直波動劇烈。ASML 和其他歐洲半導體公司都感受到了壓力。ODDO BHF 股票研究主管 Stephane Houri 週三在 CNBC 的“歐洲早間版”節目中表示：“該領域所有設備製造商的股價都下跌了，因爲他們把所有的擔憂都集中在……美國對中國的限制上。”Houri 還表示，關稅討論以及關於企業是否在人工智能領域過度投資的爭論，引發了人們對“需求是否未達到許多人預期的水平”的質疑。ASML 是半導體供應鏈中最重要的公司之一。它設計的極紫外光刻 (EUV) 設備被臺積電等製造商採購，用於製造世界上最先進的芯片。該公司最近開始出貨下一代高數值孔徑 (High NA) 設備。普遍認爲，ASML 是全球唯一一家能夠生產此類 EUV 光刻機的公司，這爲其提供了寬闊的護城河。然而，ASML 從未能夠將其最先進的光刻機運往中國，這削弱了這家荷蘭公司的潛在銷售。ASML 首席執行官 Christophe Fouquet 今年 1 月接受 CNBC 採訪時表示，他預計 2025 年“我們在華業務佔比將低於 2023 年和 2024 年的水平”。ASML 並非唯一一家面臨關稅和中國挑戰的公司。全球芯片股都感受到了與中國和關稅相關的全球市場不確定性的壓力。美歐達成貿易和關稅協議可能會爲投資者消除一些不確定性。“如果最終與特朗普總統以及……歐洲和許多其他國家達成協議，他們可能會受益於市場，尤其是芯片行業的復甦，”Houri 補充道。儘管外部壓力令 ASML 承壓，但分析師仍相對看好該股。根據倫敦證券交易所 (LSEG) 統計的分析師電話會議平均值，ASML 的目標價略高於 779 歐元。這意味着較週二收盤價上漲約 17%。本月，富國銀行 (Wells Fargo) 在與 ASML 管理層會面後發佈了一份客戶報告。該投行分析師表示，ASML 在 2025 年和 2026 年“仍對增長機會持樂觀態度”，並特別提到了三星和英特爾等正在投資下一代芯片製造工具的公司。臺積電重申，1.4nm不用High NA臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其長期以來對下一代高NA EUV光刻設備的立場。該公司的下一代工藝技術，包括A16（1.6納米級）和A14（1.4納米級）工藝技術，不需要這些最高端的光刻系統。因此，臺積電不會在這些節點上採用高NA EUV設備。“人們似乎總是對臺積電何時會使用高數值孔徑 (High-NA) 感興趣，我認爲我們的答案很簡單，”臺積電副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁張凱文 (Kevin Zhang) 在活動上表示。“只要我們發現高數值孔徑 (High-NA) 能夠帶來有意義的、可衡量的效益，我們就會採用。對於 A14 來說，我之前提到的性能提升在不使用高數值孔徑的情況下也非常顯著。因此，我們的技術團隊正在持續尋找延長現有 EUV 壽命的方法，同時獲得微縮優勢。”臺積電的 A14 工藝基於其第二代納米片環柵晶體管 (Nanosheet Gate-All-Accepted Transistor)，以及全新的標準單元架構。據臺積電稱，A14 在相同功率和複雜度下性能提升高達 15%，或在相同頻率下功耗降低 25% 至 30%。在晶體管密度方面，A14 在混合邏輯/SRAM/模擬配置下較 N2 提升 20%，在純邏輯配置下提升高達 23%。這種性能、功率和晶體管密度的提升代表了所謂的“全節點優勢”，然而，臺積電並不需要下一代高NA EUV光刻工具，就能在其 A16 和 A14 工藝技術上生產出具有可預測產量和所需性能及功率特性的芯片。需要記住的是，臺積電的 A16 本質上是帶有超級電源軌 (SPR) 背面供電網絡的N2P 。由於臺積電不需要用於 N2 和 N2P 的高NA EUV 工具，因此 A16 也不需要它們。相比之下，A14 是一箇全新的節點，將於 2028 年投入量產，因此臺積電不需要高NA這一事實非常引人注目。當被問及 A14 是否嚴重依賴多重圖案化時，張回答說他無法評論具體細節，但表示臺積電的技術團隊已經找到了一種在 1.4nm 節點上生產芯片的方法，而無需使用High NA EUV 工具，該工具可提供 8nm 分辨率，而Low NA EUV 系統的分辨率爲 13.5nm。“這是我們技術團隊的一項偉大創新，”張教授說道。“只要他們繼續尋找方法，顯然我們就不必使用高數值孔徑EUV。最終，我們會在某個時候使用它。只是我們需要找到一箇合適的攔截點，提供最大的效益，實現最大的投資回報。”值得注意的是，臺積電的 A14 將於 2029 年被採用 SPR 背面供電技術的 A14 所取代，而且看起來臺積電在這次迭代中也不需要High NA EUV 設備。因此，與英特爾不同，臺積電似乎至少在 2027 年至 2028 年間開始使用其14A 製造技術的下一代 EUV 光刻機來減少 EUV 曝光次數（即多重曝光）和工藝步驟，而英特爾則至少在 2030 年甚至更晚之前沒有計劃在量產中使用High NA EUV。https://www.cnbc.com/2025/05/28/asml-shares-china-and-tariffs-have-wiped-off-130-billion-of-value.html半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4049期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時專業原創深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦

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